Apraksts
Tehniskie parametri
Tehniskās specifikācijas
|
Izgatavošana |
Abst |
|
Veidot |
5SHY3545L0009 |
| Daļas numurs | 3BHB013085R0001 |
|
Apraksts |
IGCT modulis |
|
Izcelsme |
Šveices |
|
Dimensija |
45*30*10cm |
|
Svars |
3 kg |
Produkta informācija
ABB 5SHY3545L0009 spēkstacijas modulis ir integrēti vārti - komutēts tiristors (IGCT) modulis, augsts - sprieguma strāvas elektroniskā ierīce.
Funkcijas:
Augstas jaudas blīvums: izmanto uzlabotas IGCT mikroshēmas, lai sasniegtu lielu jaudas blīvumu un samazinātu moduļa lielumu.
Ātra pārslēgšana: nanosekundes pārslēgšanas ātrums uzlabo sistēmas dinamisko reakciju.
Augsta uzticamība: stingra kvalitātes kontroles un uzticamības pārbaude nodrošina stabilu moduļa darbību skarbā vidē.
Zems - stāvokļa sprieguma kritums: samazina enerģijas zudumu un uzlabo sistēmas efektivitāti.
Lieliska elektromagnētiskā savietojamība: uzlabota iepakojuma tehnoloģija un shēmas dizains samazina elektromagnētiskos traucējumus.
Funkcijas:
Augstas jaudas blīvums: izmanto uzlabotas IGCT mikroshēmas, lai sasniegtu lielu jaudas blīvumu un samazinātu moduļa lielumu.
Ātra pārslēgšana: nanosekundes pārslēgšanas ātrums uzlabo sistēmas dinamisko reakciju.
Augsta uzticamība: stingra kvalitātes kontroles un uzticamības pārbaude nodrošina stabilu moduļa darbību skarbā vidē.
Zems - stāvokļa sprieguma kritums: samazina enerģijas zudumu un uzlabo sistēmas efektivitāti.
Lieliska elektromagnētiskā savietojamība: uzlabota iepakojuma tehnoloģija un shēmas dizains samazina elektromagnētiskos traucējumus.
IGCT moduļi no dažādiem zīmoliem atšķiras pēc veiktspējas:
1. Infineon
Infineon ir vadītājs Power Semiconductor Technology. Tās IGCT moduļi, iespējams, izmanto uzlabotas tranšejas vārtu lauka pieturas (tranšejas FS) tehnoloģijas, piedāvājot zemus vadīšanas zaudējumus un lielu pārslēgšanas frekvences potenciālu. Piemēram, dažiem Infineon IGBT moduļiem ir zemi pārslēgšanās zudumi no vidējas un augstas pārslēgšanas frekvences (piemēram, lielāka par 10 kHz). To plašā uzlaboto starpsavienojumu tehnoloģiju izmantošana, piemēram ,.XT, tiek uzsvērta arī enerģijas cikla spējas un uzticamība, īpaši augstās - temperatūras lietojumprogrammās. Kaut arī īpašie veiktspējas dati par Infineon IGCT moduļiem nav pieejami, ņemot vērā to plašo pieredzi Power Semiconductors, viņu veiktspēja ir lieliska.
2. Mitsubishi
Mitsubishi specializējas pārvadātāju uzglabāšanas tranšejas vārtu bipolāru tranzistora (CSTBT ™) tehnoloģijā, kas optimizē līdzsvaru starp pārslēgšanas zudumiem un - stāvokļa sprieguma kritumu (VCE (SAT)). Piemēram, Mitsubishi 1200 V/137A IGBT modulis samazina tā piesātinājuma spriegumu (VCE (SAT)) līdz 1,02 V, neapdraudot izturības spriegumu, pievienojot “nesēja glabāšanas slāni” starp N - buferi un p - kolekcionāru. Tā IGCT modulis, iespējams, manto līdzīgu zemo - stāvokļa sprieguma kritiena priekšrocības, palīdzot samazināt vadītspējas zudumus nominālās strāvas darbības laikā un uzlabot vispārējo sistēmas efektivitāti.
3. ABB
Vai jūs varētu izmantot ABB 5SHY4045L0006 moduli kā piemēru? Šī ir IGCT augsta - sprieguma invertora karte. Tas izmanto augstu - ātruma procesora mikroshēmu, kas spēj ātri apstrādāt lielu datu daudzumu un vadības loģiku, nodrošinot reālu - laika sistēmas stabilitāti. Tam ir arī liela - jaudas atmiņa, atbalsta vairākus sakaru protokolus un saskarnes, kā arī piedāvā tādas aizsardzības funkcijas kā pārslodzes, pārsprieguma un nepietiekama sprieguma, kā rezultātā tiek veikta lieliska veiktspēja.
1. Infineon
Infineon ir vadītājs Power Semiconductor Technology. Tās IGCT moduļi, iespējams, izmanto uzlabotas tranšejas vārtu lauka pieturas (tranšejas FS) tehnoloģijas, piedāvājot zemus vadīšanas zaudējumus un lielu pārslēgšanas frekvences potenciālu. Piemēram, dažiem Infineon IGBT moduļiem ir zemi pārslēgšanās zudumi no vidējas un augstas pārslēgšanas frekvences (piemēram, lielāka par 10 kHz). To plašā uzlaboto starpsavienojumu tehnoloģiju izmantošana, piemēram ,.XT, tiek uzsvērta arī enerģijas cikla spējas un uzticamība, īpaši augstās - temperatūras lietojumprogrammās. Kaut arī īpašie veiktspējas dati par Infineon IGCT moduļiem nav pieejami, ņemot vērā to plašo pieredzi Power Semiconductors, viņu veiktspēja ir lieliska.
2. Mitsubishi
Mitsubishi specializējas pārvadātāju uzglabāšanas tranšejas vārtu bipolāru tranzistora (CSTBT ™) tehnoloģijā, kas optimizē līdzsvaru starp pārslēgšanas zudumiem un - stāvokļa sprieguma kritumu (VCE (SAT)). Piemēram, Mitsubishi 1200 V/137A IGBT modulis samazina tā piesātinājuma spriegumu (VCE (SAT)) līdz 1,02 V, neapdraudot izturības spriegumu, pievienojot “nesēja glabāšanas slāni” starp N - buferi un p - kolekcionāru. Tā IGCT modulis, iespējams, manto līdzīgu zemo - stāvokļa sprieguma kritiena priekšrocības, palīdzot samazināt vadītspējas zudumus nominālās strāvas darbības laikā un uzlabot vispārējo sistēmas efektivitāti.
3. ABB
Vai jūs varētu izmantot ABB 5SHY4045L0006 moduli kā piemēru? Šī ir IGCT augsta - sprieguma invertora karte. Tas izmanto augstu - ātruma procesora mikroshēmu, kas spēj ātri apstrādāt lielu datu daudzumu un vadības loģiku, nodrošinot reālu - laika sistēmas stabilitāti. Tam ir arī liela - jaudas atmiņa, atbalsta vairākus sakaru protokolus un saskarnes, kā arī piedāvā tādas aizsardzības funkcijas kā pārslodzes, pārsprieguma un nepietiekama sprieguma, kā rezultātā tiek veikta lieliska veiktspēja.